-
1 инжекция неосновных носителей
Русско-английский научно-технический словарь Масловского > инжекция неосновных носителей
-
2 инжекция
* * *инже́кция ж.
injectionдвойна́я инже́кция — double injectionинже́кция ды́рок полупр. — hole injectionлави́нная инже́кция полупр. — avalanche injectionинже́кция неосновны́х носи́телей полупр. — minority carrier injectionинже́кция носи́телей заря́да полупр. — (charge) carrier injection, charge injectionинже́кция носи́телей одного́ ти́па полупр. — single injectionинже́кция части́ц ( в ускоритель) — particle injectionинже́кция электро́нов — electron injection -
3 инжекция
-
4 белок - носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
-
5 носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
-
6 эффект носителя
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
-
7 газ - носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский новый политехнический словарь > газ - носитель
-
8 разогрев носителей
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский новый политехнический словарь > разогрев носителей
-
9 носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский словарь по информационным технологиям > носитель
-
10 инжекция неосновных носителей
1) Engineering: injection of minority carriers2) Metallurgy: injection of minority carriers (заряда)3) Solar energy: minority-carrier injection4) Semiconductors: minority carrier injectionУниверсальный русско-английский словарь > инжекция неосновных носителей
-
11 инжекция
ж. injection -
12 инжекция неосновных носителей заряда
Electronics: minority injection, minority-carrier injectionУниверсальный русско-английский словарь > инжекция неосновных носителей заряда
-
13 хранилище перемещаемых носителей
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский большой базовый словарь > хранилище перемещаемых носителей
-
14 гомологичный носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
-
15 положительный носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
-
16 чужеродный носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
-
17 горячий носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский новый политехнический словарь > горячий носитель
-
18 заполненный носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский новый политехнический словарь > заполненный носитель
-
19 ленточный носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский новый политехнический словарь > ленточный носитель
-
20 подвижный носитель
шум намагниченного носителя — d.c.-noise of magnetic carrier
Русско-английский новый политехнический словарь > подвижный носитель
- 1
- 2
См. также в других словарях:
minority carrier injection — ▪ electronics in electronics, a process taking place at the boundary between type and type semiconductor materials, used in some types of transistors (transistor). Each semiconductor material contains two types of freely moving charges:… … Universalium
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
History of the transistor — Invention of the transistor= The first patent [patent|US|1745175|Julius Edgar Lilienfeld: Method and apparatus for controlling electric current first filed in Canada on 22.10.1925, describing a device similar to a MESFET] for the field effect… … Wikipedia
John Bardeen — Infobox Scientist name = John Bardeen imagesize = 110px caption = John Bardeen birth date = birth date|1908|5|23|df=y birth place = Madison, Wisconsin, USA death date = death date and age|1991|1|30|1908|5|23 death place = Boston, Massachusetts… … Wikipedia
William Shockley — Infobox Scientist name = William Shockley imagesize = 145px birth date = Birth date|1910|2|13|df=yes birth place = London, England death date = Death date and age|1989|8|12|1910|2|13|df=yes death place = Stanford, California alma mater=CaltechMIT … Wikipedia
IGCT — The Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT) is a new high power semiconductor device. An IGCT is a sub family of the GTO thyristor and like the GTO thyristor is a fully controllable power switch. Device DescriptionAn IGCT is a special type of … Wikipedia
Nobel Prize controversies — Nobel Prize Awarded for Outstanding contributions in physics, chemistry, literature, peace, and physiology or medicine. The Sveriges Riksbank Prize in Economic Sciences in Memory of Alfred Nobel, identified with the Nobel Prize, is awarded for… … Wikipedia
Power semiconductor device — Power semiconductor devices are semiconductor devices used as switches or rectifiers in power electronic circuits (switch mode power supplies for example). They are also called power devices or when used in integrated circuits, called power… … Wikipedia
Logic family — In computer engineering, a logic family may refer to one of two related concepts. A logic family of monolithic digital integrated circuit devices is a group of electronic logic gates constructed using one of several different designs, usually… … Wikipedia
Business and Industry Review — ▪ 1999 Introduction Overview Annual Average Rates of Growth of Manufacturing Output, 1980 97, Table Pattern of Output, 1994 97, Table Index Numbers of Production, Employment, and Productivity in Manufacturing Industries, Table (For Annual… … Universalium
United States — a republic in the N Western Hemisphere comprising 48 conterminous states, the District of Columbia, and Alaska in North America, and Hawaii in the N Pacific. 267,954,767; conterminous United States, 3,022,387 sq. mi. (7,827,982 sq. km); with… … Universalium